在我們日常生活中電能已經(jīng)成為不可或缺的生活能源。自其誕生以來(lái)，人類(lèi)一直在技術(shù)領(lǐng)域尋求突破，以期望其能更好的為時(shí)代發(fā)展添加動(dòng)力。隨著(zhù)科技的進(jìn)步，近些年電力電子相關(guān)技術(shù)應用得到了迅猛發(fā)展。因此作為一名電氣工作人員，很有必要熟悉掌握基本的電力電子知識，以適用日益復雜的電氣工作環(huán)境。

　　什么是電力電子技術(shù)？使用電力電子器件對電能進(jìn)行變換和控制的技術(shù)即為電力電子技術(shù)。電力電子技術(shù)不同于一般微電子等其它技術(shù)，其屬于電源技術(shù)研究方向。電力電子技術(shù)系統主要有控制電路、驅動(dòng)電路、保護電路等相關(guān)器件構成。

　　主要常見(jiàn)的電力電子器件主要有：

      ①、 GTO——門(mén)極可關(guān)斷晶閘管（可控硅）電流驅動(dòng)型門(mén)極施加負的脈沖電流使其關(guān)斷；

      (晶閘管電加熱裝置)

      ②、 GTR——電力晶體管(巨型晶體管)開(kāi)關(guān)狀態(tài)大功率三級管；

      ③、 BJT——耐高壓、大電流的雙極結型晶體管;

      ④、電力場(chǎng)效應晶體管——電力MOSFET(電壓驅動(dòng)型)；

　　電力MOSFET的種類(lèi)（10——100ns工作時(shí)間，頻率100KHZ）:

　　耗盡型——當柵極電壓為零時(shí)漏源極之間就存在導電溝道；

　　增強型——對于N、P溝道器件，柵極電壓大于（小于）零時(shí)才存在導電溝道；

　　電力MOSFET一般為N溝道增強型。大部分采用垂直導電結構又稱(chēng)VMOSFET。

      VVMOSFET——V型槽垂直導電；

      VDMOSFET——垂直導電雙擴散；

      ⑤、絕緣柵雙極晶體管——稱(chēng)為IGBT或者IGT(內部由1個(gè)場(chǎng)效應管、一個(gè)三極管和一個(gè)反向阻尼二極管構成屬電壓驅動(dòng)型)，由于其既具有MOSFET器件驅動(dòng)功率小和開(kāi)關(guān)速度快的優(yōu)點(diǎn)，又具有雙極型器件飽和壓降低而容量大的優(yōu)點(diǎn)。在現代電力電子技術(shù)中得到了越來(lái)越廣泛的應用，在較高頻率的大、中功率應用中占據了主導地位。是未來(lái)電力電子技術(shù)發(fā)展的重要功率器件；

      （IGBT功率模塊）

      ⑥、MCT——電力場(chǎng)效應管與晶閘管的復合型；

      ⑦、SIT——靜電感應晶體管（結型場(chǎng)效應管）；

      ⑧、SITH——場(chǎng)控晶閘管：

      ⑨、IGCT——集成門(mén)極換流晶閘管；

　　此外隨著(zhù)科技的不斷進(jìn)步，電力電子技術(shù)向模塊化、智能化方向發(fā)展，出現了譬如功率模塊、功率集成電路（PIC將功率器件與邏輯運算、控制、保護、傳感器模擬信號、檢測、自檢等功能集成在同一芯片的特殊集成電路）、高壓集成電路HVIC、智能功率集成電路SPIC、智能功率模塊IPM等。

    （常見(jiàn)于焊接設備的功率模塊）

　　電力電子器件的驅動(dòng)其主電路高電壓和控制電路之間要采取相應的隔離安全措施，目前一般采用光耦隔離和磁隔離。所有的電源轉換電路一般可分為四種形式即：

　　交流變交流——變壓

　　交流變直流——整流

　　直流變直流——削波

　　直流變交流——逆變

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